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        雙溫區裂解源 您當前的位置: 首頁 > 產品中心 > 薄膜制備 > 部件產品 > 蒸發源 > 雙溫區裂解源

        產品概述 Product Overview

        雙溫區裂解源是針對一些蒸氣壓高的材料,如Se, Te, As, Mg, Sb, CdTe和ZnTe等設計的裂解源,目的是在材料蒸發過程中使原子簇團獲得額外的熱量進行裂解。雙溫區蒸發源有兩個獨立的加熱絲,底部蒸發區溫度可達1000 ℃,頂部裂解區可達1400 ℃。
        坩堝材質為PBN,容積50cc。在50cc坩堝內會放置一個由Ta、PBN或PG材料制作的內襯坩堝。內襯坩堝底部中心有一個很小的孔,通過改變孔的尺寸,可以控制束流分布和密度。


        規格說明 Specification

        ● 型號:E38DZ

        ● 加熱系統: 輻射加熱,帶有PBN支撐片的Ta加熱絲
        ● 溫度穩定性 ≤0.1℃ (取決于PID控制器)
        ● 可選線性移動閥
        ● 擋板:可選Ta擋片(手動/氣動)
        ● 超高真空兼容,極限真空10-11 mbar

        法蘭尺寸 坩堝尺寸 分區 工作溫度 最大除氣溫度 熱電偶 溫度穩定性
        NW38CF(O.D. 2.75”)
        50 cc
        頂部裂解區 300~1400℃ 1500℃ C ±0.1℃
        底部蒸發區 100~1000℃ 1100℃ K






        測試曲線圖 Test Curve

        ——————  碲束流溫度曲線    —————— ——————    碲薄膜沉積曲線    ——————



        產品尺寸 Dimension Drawing



        視頻 Video


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