雙溫區裂解源 您當前的位置: 首頁 > 產品中心 > 薄膜制備 > 部件產品 > 蒸發源 > 雙溫區裂解源

              產品概述 Product Overview

              雙溫區裂解源是針對一些蒸氣壓高的材料,如Se, Te, As, Mg, Sb, CdTe和ZnTe等設計的裂解源,目的是在材料蒸發過程中使原子簇團獲得額外的熱量進行裂解。雙溫區蒸發源有兩個獨立的加熱絲,底部蒸發區溫度可達1000 ℃,頂部裂解區可達1400 ℃。
              坩堝材質為PBN,容積50cc。在50cc坩堝內會放置一個由Ta、PBN或PG材料制作的內襯坩堝。內襯坩堝底部中心有一個很小的孔,通過改變孔的尺寸,可以控制束流分布和密度。


              規格說明 Specification

              ● 型號:E38DZ

              ● 加熱系統: 輻射加熱,帶有PBN支撐片的Ta加熱絲
              ● 溫度穩定性 ≤0.1℃ (取決于PID控制器)
              ● 可選線性移動閥
              ● 擋板:可選Ta擋片(手動/氣動)
              ● 超高真空兼容,極限真空10-11 mbar

              法蘭尺寸 坩堝尺寸 分區 工作溫度 最大除氣溫度 熱電偶 溫度穩定性
              NW38CF(O.D. 2.75”)
              50 cc
              頂部裂解區 300~1400℃ 1500℃ C ±0.1℃
              底部蒸發區 100~1000℃ 1100℃ K






              測試曲線圖 Test Curve

              ——————  碲束流溫度曲線    —————— ——————    碲薄膜沉積曲線    ——————



              產品尺寸 Dimension Drawing



              視頻 Video


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