標準雙溫區中溫蒸發源 您當前的位置: 首頁 > 產品中心 > 薄膜制備 > 部件產品 > 蒸發源 > 標準雙溫區中溫蒸發源

              產品概述 Product Overview

              標準雙溫區中溫蒸發源的最大工作溫可達1400℃。蒸發源內部采用獨特的加熱絲設計,每個加熱絲均由PBN環支撐,可確保坩堝受熱均勻,同時有更好的使用穩定性和更長的使用壽命。中間采用多層線接觸式鉭筒隔熱,大大降低了熱輻射損失,提高了熱量利用率,使其在較低的功率下即可達到較高的工作溫度。蒸發源水冷系統采用獨立水冷套設計,屏蔽了高溫加熱區域對腔體內壁的輻射,可有效減少腔壁放氣,為樣品生長提供了更好的真空條件,同時提高了溫度測量精度。
              標準雙溫區中溫蒸發源設計用于在300°C至1400°C的溫度范圍內蒸發或升華各種元素和化合物,例如典型的III-V MBE材料(例如Al,Ga或In)。


              規格說明 Specification

              ● 加熱系統: 輻射加熱,帶有PBN支撐片的鉭加熱絲

              ● 溫度穩定性:≤±0.1℃,取決于PID溫控器

              ● 超高真空兼容,極限真空量級10-11mbar

              ● 獨立水冷模塊

              ● 擋板:可選材質擋片(鉭,PBN等)


              爐源型號 E63MT60DF E630MT80DF E100MT150DF E225MT300DF E150MT700DF
              坩堝容量
              60cc 80cc 150cc 300cc 700cc
              坩堝材質 PBN
              加熱絲數量 2
              加熱絲材質
              熱點偶類型 W5%Re / W26%Re(C型)
              安裝法蘭 DN63CF DN63CF DN100CF DN125CF DN150CF
              溫度范圍 300~1400℃
              上溫區最高除氣溫度 1300℃
              下溫區最高除氣溫度 1400℃
              溫度穩定性 ±0.1℃
              烘烤溫度 250℃















              測試曲線圖 Test Curve

              ——————    E63MT80DF溫度功率曲線    —————— —   E63MT80DF上溫區1280℃和下溫區1260℃時在襯底位置束流分布  —


              —   E63MT80DF上溫區1280℃和下溫區1260℃時鍺薄膜沉積曲線   —





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